EN13161801490
Si<111>1000±20um Epi：AlGaN/GaN, 5-5.5um
英文名稱：6”-Si-based GaN EPI Wafer
适用範圍：6”GaN 生産片。
| 晶體參數 Crystal | |
|---|---|
| 1.1 生長方法Growing Method | MOCVD |
| 1.2 晶向Orientation | <111> 晶向 |
| 1.3 厚度thickness | 5~5.5um |
| 1.4 表面覆蓋物/厚度 | GaN /2-2.5nm |
| 1.5GaN質量 | <600”(002 ) |
| <1000”(102) | |
| 1.6 HEMT 組分 |
AlxGal-xN，0.2 |
| 1.7 ALN 中間層 | 1-2nm |
| 電學參數 Electrical | |
| HEMT結構二維電子(zǐ)氣濃度 | >8E12/cm² |
| 機械參數 Mechanical | |
| 直徑Diameter | 150±0.2mm |
| 表面處理 | |
| 裂紋 Crack (Edge 5 mm 以(yǐ)内) | 無 |
| 表面處理 | |
|---|---|
| 裂紋 Crack (Edge 5 mm 以(yǐ)内) | 無 |
